作者文章归档：易善波
PD快充协议是一种高速充电技术，能够快速给移动设备充电，并且不会产生过热等安全问题。而这种协议需要配合芯片才能实现快速充电，因此，在选择PD快充协议芯片时需要根据具体的使用场景以及需求进行选型，骊微电子推出18W-100W常用pd协议芯片方案。
常用pd协议芯片18W/20W/35W/45W/65W/100W选型
36W和36W以内单C、单PD的非标市场主推XPD317系列(无VBUS MOS），采用 SOT23-6 封装，集成了 USB Type-C、USB Power Delivery（PD3.0）、PPS 的多协议端口控制器，为 AC-DC 适配器、车载充电器等设备提供...
自iPhone 8开始，后续的苹果手机都支持快充，然而随着iPhone 12系列手机的推出以及取消多部机型标配充电器这一传统，从iPhone的全球出货量来看，已经造成了上亿规模的快充市场空缺，深圳市骊微电子科技有限公司专注于电源方案设计开发，顺势推出20W A+C双口pd快充充电器方案，提供一站式服务。
20W A+C双口pd快充充电器方案主控芯片采用PN8161SE-U1，该芯片内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的AC-DC开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、逐周期过流保...
氮化镓快充已然成为了当下一个非常高频的词汇，在氮化镓快充市场迅速增长之际，65W这个功率段恰到好处的解决了大部分用户的使用痛点，从而率先成为了各大品牌的必争之地，ncp1342替代料PN8213氮化镓充电器主控芯片，适用于65w氮化镓充电器芯片方案。
NCP1342替代料PN8213芯片特征
■ 内置高压启动电路
■ 供电电压9~57V,适合宽输出电压应用
■ Valley Lock：技术提高效率改善系统噪声
■ 最高工作频率外部可设置
■ 空载待机功耗<55mW@230VAC
■ 优异全面的保护功能：逐周期过流保护、输入欠压保护、输出过压保护...
随着科学技术日新月异的发展，人们对电源系统的性能要求也不断提高，OB2269电源芯片用CR6842代换采用简单而高效的反激式隔离 AC-DC开关电源的设计方法，具有较高的性价比，满足广大客户的需求。
CR6842国产芯片代替ob2269特点
■ 高集成特性可使系统外部器件减至最少
■ 低的启动电流：7.5uA（Typ）、低的工作电流：3mA（Typ）
■ 内置频率抖动以改善 EMI 特性
■ 内置前沿消隐(LEB)电路和同步斜率补偿
■ 为改善效率和最小待机功耗而设计的 Hiccup Mode & PFM 工作模式
■ VDD 欠压保护(UVLO)...
AMS1117是一个三端稳压器，它的稳压调整管是由一个PNP驱动的NPN管组成，有固定和可调两个版本可用，输出电压可以是：1.2V，1.5V，1.8V，2.5V，2.85V，3.0V，3.3V，和5.0V。AMS1117-3.3是一种输出电压为3.3V的正向低压降稳压器，适用于高效率线性稳压器。
ams1117-3.3v管脚图
ams1117-3.3v稳压芯片特点
■ 最大输出电流为 1A
■ 输出电压精度高达±2％
■ 稳定工作电压范围为高达 12V
■ 电压线性度为 0.2％
■ 负载线性度为 0.4％
PN8360电源IC是高精度CC/CV原边反馈交直流转换器，内置650V功率MOSFET，工作在原边检测模式，可省略光耦和TL431可省光耦和TL431，提供了全面的自恢复保护功能，全电压输入范围±5%的电流/电压调整率，骊微电子广泛应用于高性能、外围元器件精简的电池充电器、LED照明等领域。
充电器或适配器应用原理图
PN8360电源IC 5V/2.4A电路描述
1、PN8360电路图中R7、R8和R9为反馈分压电阻，C5起到环路补偿的作用。
2、C1、D1、R3、R4 和R5组成RCD箝位电路，用于吸收PN8360内部集成的功率MOSFET漏源端尖峰电压...
TM1650替换芯片GN1650内部集成有MCU输入输出控制数字接口、数据锁存器、LED 驱动、键盘扫描、辉度调节等电路，是2线串口共阴极8段4位/7*4位键盘扫描并带部分组合按键功能LED驱动控制专用电路，性能稳定、质量可靠、抗干扰能力强，可适用于24 小时长期连续工作的应用场合。
GN1650主要特点
■ 两种显示模式：8段×4位和7段×4位
■ 支持单个按键7x4bit(28个按键)和组合按键（4个）
■ 8级亮度可调
■ 段驱动电流大于25mA,位驱动电流大于150mA
■ 高速2线串行接口（CLK,DAT）
■ 振...
XB7608AFJ单节锂电池二合一保护芯片具有电池应用中所需的所有保护功能，检测电池的电压和电流，通过断开电池与负载或充电器的连接，防止电池因过充电电压、过放电电压、过放电电流和短路情况而损坏。XB7608AFJ只需要一个外部电容。 集成了MOSFET，其RSS(ON)低至14.5mΩ典型。
XB7608AFJ锂电池保护芯片特性
■ 充电器反向连接保护
■ 电池反向连接保护
■ 集成相当于15.5mΩ RSS(ON)
■ 集成功率MOSFET
■ 超小型CPC5包装
■ 只需要一个外部电容器
■ 超温保护过充电流保护两步过流检测:
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