三星将量产20奈米级64Gb TLC 闪存 给U盘工厂带来新的机遇与挑战！

英特尔(Intel)与美光(Micron)9月才宣布2010年底将开始量产25奈米制程3层式储存((triple-level cell；TLC)闪存(NAND Flash)，韩国厂三星电子(Samsung Electronics)也不落人后，宣布10月将率先量产可储存大容量信息的20奈米级制程64Gb TLC闪存。

据报道，该产品可提供每单位 3 位的数据容量，是为囊括大容量内存市场所设计的产品。三星于2009年11月首度量产30奈米级制程32Gb TLC闪存。即将投入量产的20奈米级制程64Gb TLC闪存相较于30奈米级32Gb TLC产品，其量产性提高60%以上，且因采用Toggle DDR 1.0技术，传输速度更快解功能更稳定。该产品可以1个芯片储存8GB的数据量。

三星电子半导体事业部记忆体策略营销组常务金世镇(译名)表示，20奈米级 64Gb TLC闪存量产除可满足急速增加的智能型手机(Smartphone)、平板计算机(Tablet PC)、固态硬盘(SSD)需求，亦可将市场扩大至USB Flash Drive、SD卡等大容量内存产品市场。

报告指出，三星电子(Samsung Electronics Co)、Hynix等一线DRAM厂商的盈余数据可望在2011年第1季软着陆。该券商表示，一旦上述假设基础应验，南韩DRAM双雄股价将可触底回升。

今年第3季利基型DRAM(服务器用、行动用)均价仅季减2%，而PC用DRAM均价则是季减了12%。年初迄今(截至10月15日收盘为止)三星电子股价下跌5.63%，而Hynix则是上涨1.94%。相较之下，南韩KOSPI指数上涨幅度达到13.05%。

三星电子董事长李健熙9月17日在首尔机场接受南韩媒体访问时就已表示，他对于明(2011)年全球的液晶面板、半导体产业景气有点担心。

三星电子第3季(7-9月)营收初估年增11%至40兆韩圆；营益初估年增14%至4.8兆韩圆。根据调查，分析师原先预期三星Q3营收、营益分别为41.80兆韩圆、5.03兆韩圆。

三星未来也将继续以采用Toggle DDR技术制造的快产内存产品满足需要大容量、高性能的客户。