现在看来，芯片似乎不可能做得更小了，但是，现在有了一项新技术，是英国剑桥大学（University of Cambridge）工程系的研究人员开发的，这种技术可制成新的芯片，不仅尺寸更小，而且可以支持的电流密度比目前的技术高5倍。

　　这项技术的开发人员是约翰•罗伯逊（John Robertson）和圣地亚哥•艾斯康佳来古（Santiago Esconjauregui）教授，他们采用特殊排列的碳原子，传输电流通过微芯片。

　　这种微芯片也称为集成电路（IC），几乎用于所有的电子设备，从电脑到移动电话，到任何普通家庭中的大量数字家电。它们的小尺寸和低生产成本已改变了消费电子行业。

　　集成电路的制备是分层的，每层有许多不同的电器元件，它们是连接在一起的，采用微细铜丝连接层内和层间。由于制造商试图使集成电路越来越小，铜接头也必须变小。这导致电流密度在铜内的比例越来越高，直到最后，没有更多的电流可以通过铜接头传输。

　　罗伯逊教授和他的同事们发明了一种方法，使用碳纳米管取代集成电路中垂直的铜接头，这就可以制成更小的电路，进一步缩小电子产品的尺寸。

　　碳纳米管包含特殊排列的碳原子。通常情况下，比如在石墨中，原子排列成六边形状，而且是分层片状。然而，在碳纳米管中，这些片卷起，形成纳米管。这些管子直径只相当于几个碳原子大。

　　单个碳纳米管可以支持极高电流密度，是优秀的候选材料，可以取代铜，连接芯片的各层。然而，为了使这变成可行的，这种碳纳米管需要生长，要以非常密集的束直接生长在基质上。

　　纳米管束（Nanotube bundles）通常生长，需要沉积薄膜状的催化剂，比如铁，就沉积到基质上，而改变催化剂的性能，需要利用热能，这一过程名为退火（annealing）。退火会产生一系列的纳米粒子，这就构成基础，可以生长每根碳纳米管。这种方法确实会产生碳纳米管束，但它们只有有限的空间密度，传输的电流不够微芯片所需。

　　罗伯逊教授和他的同事们发明了一种方法，生长纳米管管束采用多重沉积和退火步骤，结果是连续增加了纳米粒子密度。由此产生的纳米管管束密度提高了5倍，这是对比现在最精密的技术而言，未来还可能进一步增加密度。